1, Finis photovoltaici postulatio: Postulatio capacitatis photovoltaicae inauguratus fortis est, et postulatio polysilico praepostero fundatur in capacitate inaugurata praevidendi.
1.1.Consummatio Polysilicon: The globalConsummatio volumen constanter augetur, maxime generationis potentiae photovoltaicae
Praeteritis decem annis, in globalpolysiliconconsummatio surgere continuavit, et proportio Sinarum dilatare continuavit, industria photovoltaica ducta.Ab 2012 ad 2021, consumptio polysilicon globalis inclinatio sursum plerumque ostendit, orta ab 237,000 tons ad circiter 653,000 talentorum.Anno 2018, Sinarum 531 novum consilium photovoltaicum introductum est, quod clare in subsidium rate potentiae generationis photovoltaicae redegit.Facultas photovoltaica nuper inaugurata per 18% annos in annos cecidit, et postulatio polysilicon affectus est.Cum 2019, res publica complures rationes ad promovendam elaborationem photovoltaicorum pariendam induxit.Cum celeri progressione industriae photovoltaicae, postulatio polysilicon periodum etiam incrementi celeris ingressus est.Hoc tempore, proportio polysilicon consummationis Sinarum in tota consumptione globali continuata est, ab 61,5% anno 2012 ad 93,9% 2021, maxime propter Sinarum industriam photovoltaicam celeriter elaborandam.Ex prospectu consummationis globalis exemplaris diversorum generum polysiliconis anno 2021, materies siliconis adhibita pro cellulis photovoltaicis saltem 94% reddet, quarum polysilicon et granuarium silicon-gradus solaris rationem 91% et 3%, respective, dum electronic-gradus polysilicon adhiberi potest pro astularum rationibus 94%.Proportio 6% est, quae ostendit praesentem postulationem polysilicon a photovoltaicis dominari.Exspectatur calefactione consilii duplicis carbonis, postulatio capacitatis photovoltaicae inaugurata robustior fiet, et consumptio et proportio polysilicon-gradi solaris crescere perget.
1.2.Silicon laganum: laganum monocrystallinum pii amet occupat, et continua technologia Czochralski celeriter incidit.
Directa nexus amni polysilicon lagana siliconis est, et Sinis nunc laganum siliconis globalis dominatur.Ab MMXII ad 2021, laganum laganum globalis et Sinicae facultatis productionis et output augere perseuerat, et industria photovoltaica bombum continuavit.lagana siliconis pons iunctis materiae et gravidae siliconibus sunt, et nulla est capacitatis productionis onus, sic pergit ad trahere ingentem numerum societatum ad industriam ingrediendam.Anno 2021, artifices lagani Pii Sinenses signanter expansi suntFabricatiocapacitas ad 213.5GW output, quod laganum siliconis globalis productionis ad augendam impulit 215.4GW.Secundum capacitatem productionis in Sinis existentem et nuper auctam, expectatur annua incrementi rate 15-25% in proximis annis conservaturum, et effectio lagana Sinarum absolutam dominantem in mundo situm servaturum esse.
Pii polycrystallini fieri potest in polycrystallinos silicon stromata vel baculi Pii monocrystallini.Processus gignendi ingotis pii polycrystallini maxime modum et modum liquationis directum includit.Nunc secunda ratio principalis methodi est, et rate iactura fere 5% fundamentaliter conservatur.Methodus fusilis maxime est materias siliconum in uasculo primo liquefaciendi, et deinde in alio uasculo ad refrigerandum preheated.In refrigerium rate moderante, regulae siliconis polycrystallini a solidificatione directionalis technologiam eiciuntur.Processus liquationis calidae methodi directae liquationis eadem est ac methodi fusurae, in qua polysilicon in primo uasculo directe conflatur, sed gressus infrigidationis differt a methodo mittentes.Etsi duo modi in natura simillimi sunt, methodus directa liquatio uno tantum uasculo eget, et factum polysilicon productum est bonae qualitatis, quae ad incrementa polycrystallini pii administri cum meliore intentione conducit, et evolutionis processum facile est. automate, quod potest facere statum internum Erroris crystallini reductionem.In praesenti conatibus principales in industria solari materiali industria plerumque utuntur methodo directa liquandi ad ingotes pii polycrystallini, et contenta carbonis et oxygenii inter se humiles sunt, quae infra 10ppma et 16ppma moderantur.In futuro, productio administrorum polycrystallini siliconum per methodum directam liquationis adhuc dominabitur, et rate iactura circiter 5% intra quinquennium manebit.
Productio virgarum siliconum monocrystallini maxime fundatur in methodo Czochralski, quae ad zonam suspensionis verticali methodo liquescens et producta ab duobus producta diversos usus habent.Methodus graphite resistentiae Czochralski utitur ad calefactionem pii polycrystallini in vicus castitatis summus uasculum in systematis thermarum recti-tube conflandi, deinde semen crystallum in superficies fusionis liquefactionis inserito, et semen cristalli dum invertendo gyratur. fusorium.cristallum semen lente sursum elevatur, et pii monocrystallini fiunt per processum seminis, amplificationis, conversionis humeri, diametri incrementum, et consummationem.Zonam fluitans verticalis methodus liquescens refertur ad materias polycrystallinas figere columnarem summus puritatis in camera fornacis, movens coilum metalli lente per longitudinem polycrystallinum directum et per polycrystallinum columnarem transiens, et transiens summus potentiae radiophonicae frequentiae in metallo currente. coil, ut partem interioris columnae polycrystallini coil liquefaciat, et, gyro mota, liquefactio recrystallizet ut unum cristallum efformet.Ob varias processus productiones, differentiae sunt armorum productionis, gratuita productio et qualitas productiva.Nunc, fructus ex zona liquationis methodi consecuti altam puritatem habent et adhiberi possunt ad fabricam semiconductoris machinarum, dum Czochralski methodus occurrere potest conditionibus ad silicon cristallum producendum pro cellis photovoltaicis et minore pretio habet, sic est. amet modum.In 2021, mercatus modus est de 85% ad rectam trahendi partem, et expectatur paulo in paucis annis augere.Mercatus participatio 2025 et 2030 praedicuntur esse 87% et 90% respective.In terminis districtus siliconis crystallini unius liquationis, industria concentratio districtus unius cristalli siliconis liquescens est relative summus in mundo.acquisition), TOPSIL (Daniae).In posterum, scala cristalli unius cristalli siliconis fusilis non signanter augebit.Causa est, quia Sinarum technologiae cognatae relative retrorsum comparantur cum Iaponia et Germania, praesertim capacitatem summus frequentiae instrumentorum calefactionis et condiciones processus crystallizationis.technicae siliconis fusi unius crystalli in magna diametri area requirit Sinenses inceptis ut per se explorare pergant.
Methodus Czochralski in continuam technologiam crystalli trahens dividi potest (CCZ) et iteratae technologiae crystalli trahens (RCZ).Nunc, amet methodus industriae est RCZ, quae est in scaena transitus ab RCZ ad CCZ.Unius crystallus RZC vestigia trahens et pascens inter se independentes sunt.Ante quamlibet evulsionem, unicum cristallum inceptum refrigerari et removeri debet in thalamo portae, CCZ dum scire potest pascere et liquare dum trahens.RCZ relative matura est, et parum spatii technologici in futuro melius est;CCZ autem commoda sumptus reductionis et efficientiae meliorationis habet, et in statio celeris progressionis est.Secundum sumptus, comparatus cum RCZ, qui circiter VIII horas ante unam virga trahitur, CCZ efficientiam productionis multum emendare potest, uasculum sumptus et industriam consummationem minuere, hunc gradum eliminando.Tota unius fornacis output plus quam 20% quam RCZ altior est.Productio sumptus plus quam 10% minus quam RCZ.Secundum efficientiam, CCZ perducere potest extractionem 8-10 unius virgae siliconis crystallini intra cyclum vitae crucibilis (250 horis), dum RCZ nonnisi circiter 4, et efficientia productio per 100-150% augeri potest. .Secundum qualitatem CCZ plus aequabilius resistentiae habet, inferiores oxygeni res, et tardius cumulationem immunditiarum metallorum, ideo aptior est ad praeparationem n-typi unius laganae pii crystalli, quae etiam in periodo celeris evolutionis sunt.Nunc quaedam societates Sinenses nuntiaverunt se CCZ technologiam habere, et iter laganae siliconis granularii-CCZ-n-typi monocrystallini, basically perspicuum est, et etiam 100 materiis siliconibus granulosis uti coepit..In futuro, CCZ fundamentaliter restituet RCZ, sed processum certum habebit.
Processus productionis lagani pii monocrystallini in quattuor gradus dividitur: trahens, dividendo, dividendo, purgando et dividendo.Cursus filum scissionis adamantis methodus dividens rate damnum multum redegit.Processus cristallinus trahens supra dictum est.Processus dividens includit truncationem, quadraturam, et operationes chalames.Scissio est machinae scissione utendum, ut silicon laganum in pii columnaris secetur.Purgatio et voluptua sunt ultimae gradus in productione laganae Pii.Adamas filum dividens methodum manifestas utilitates habet in methodo filum mortario traditionalis dividendo, quae maxime reflectitur in brevi consummatione et detrimento gravis.Velocitas filum adamantis quinquies est quae sectionis traditionalis.Exempli causa, pro lagano uno secando, filum luti sectionis traditum circiter 10 horas accipit, et filum adamans incisura tantum circiter 2 horarum accipit.Damnum filum adamantis secans etiam relative parva est, et damnum iacuit per filum adamantinum secans minor est quam filum sectionis luti, quod conducit ad lagana siliconis tenuioris secanda.Nuper annis, ut damna caedendo et gratuita productione reducerentur, societates modos sculpendi filum adamantinum verterunt, et diameter fili bus vectibus adamantis inferioris et inferioris questus est.In 2021, diameter fili busbaris adamantis erit 43-56 µm, et diameter fili busbaris adamantis adhibita pro lagana siliconis monocrystallina valde decrescet ac perget declinare.Aestimatur quod in anno 2025 et 2030 diametri filum adamantis busbarum ad lagana siliconis monocrystallina secare soleant, erunt 36 µm et 33 µm, respective, et diametri filum adamantinum busbarum ad laganum polycrystallinum secandum lagana Pii erunt 51 µm. and 51 μm, respectively.Causa est, quia multi defectus et immunditiae sunt in lagana pii polycrystallini, et fila tenuia ad fractionem proni sunt.Ergo diametri filum adamantis busbaris ad polycrystallinum pii laganum secandum maior est quam laganum pii monocrystallini, et quia lagana pii lagana polycrystallini participatio mercatus sensim decrescit, adhibetur pro polycrystallino pii Reductio in diametro adamantis. filum busbars secare crustae retardavit.
Nunc lagana silicon maxime in duo genera dividitur: laganum polycrystallinum et laganum pii monocrystallinum.Monocrystallina lagana Pii commoda habent longi muneris vitae et altae photoelectricae conversionis efficientiam.Laganae polycrystallinae pii ex crystallis granis cum diversis orientationibus planis cristallinae componuntur, cum lagana singulae cristallinae siliconis fiunt ex polycrystallino silicone sicut materia rudis et eandem habent cristalli planam intentionem.In specie, lagana polycrystallina pii et lagana pii crystalli unius sunt caeruleo-nigrae et nigrae-brunneae.Cum duo e adstantibus polycrystallini Pii et monocrystallini virgis pii secantur, formae sunt quadratae et quasi quadratae.Ministerium vitae polycrystallinae lagana Pii et lagana monocrystallina pii lagana circiter XX annos sunt.Si methodus pacandi et ambitus usus idonei sunt, ministerium vitae plus quam XXV annos attingere potest.Communiter, lagana lagana pii monocrystallini est paulo longior quam lagana pii polycrystallini.Praeterea laganae silicones monocrystallinae etiam leviter meliores sunt in efficientia conversionis photoelectricae, eorumque labes densitas et sordes metallicae multo minores sunt quam laganae pii polycrystallini.Coniuncti effectus variarum factorum paucitatem tabellarius facit vitam plurium crystallorum justo plurium quam laganae pii polycrystallini.Per hoc ostendens utilitatem conversionis efficientiam.Anno 2021, summa conversionis efficacia lagana pii polycrystallini circa 21% erit, et lagana pii monocrystallini usque ad 24.2% pervenient.
Praeter longam vitam et altam conversionem efficientiam, monocrystallina lagana pii etiam utilitatem habent extenuationis, quae conducit ad minuendam consumptionem lagani pii et sumptus, sed operam ad incrementum in rate fragmentorum.Extenuatio laganae silicae adiuvat reducere impensas fabricandas, et processus sculpendi current plene necessitatibus extenuantibus occurrere potest, sed laganae crassitudo laganae etiam necessariis occurrendum est cellae amni et fabricationis componentis.In genere, crassitudo laganae siliconis his annis decrescescit, et crassitudo laganae pii polycrystallini insigniter maior est quam laganae pii monocrystallini.lagana siliconis monocrystallina longius in n-type lagana siliconis divisa sunt et lagana p-type lagana silicon, dum lagana silicon-type maxime includunt TOPCon Pugna usus et pugna usus HJT.In 2021, mediocris crassitudo laganae pii polycrystallini 178µm est, et defectus postulationis in posterum eas ad tenues pergere coget.Praedixit ergo crassitudinem leviter decrescere ab 2022 ad 2024, et crassitudo remanebit circiter 170 µm post 2025 ;mediocris crassitudo laganae monocrystallini pii lagani fere 170µm est, et expectatur ut 155µm et 140µm in 2025 et 2030 defluat. 150µm, et mediocris crassitudo lagani pii generis pro TOPCon cellulis 165µm adhibita est.135μm.
Praeterea, productio lagana polycrystallina pii lagana plus silicones quam monocrystallina lagana siliconis consumit, sed gradus productionis sunt simplices secundum quid, quae uncta polycrystallina pii lagana gratuita affert.Silicon polycrystallinus, sicut materia rudis communis pro lagana polycrystallina et lagana siliconis monocrystallini, diversum habet consumptionem in productione duorum, quae propter differentias puritatis et productionis duorum gradibus.Anno 2021, consumptio siliconis polycrystallini regulae est 1.10 kg/kg.Exspectatur limitatam obsidionem in investigationibus et progressionibus parvas mutationes in futuro inducturum esse.Sumptio siliconis virgae viverra est 1.066 kg/kg, et locus quidam optimizationis est.Exspectatur 1.05 kg/kg et 1.043 kg/kg in 2025 et 2030, respective.In unico cristallo trahente processu, deductio siliconis consummatio evellendi fieri potest minuendo dispendium purgandi et opprimendi, stricte moderandi ambitus productionis, reducendo proportionem primariorum, subtilitatem moderandi et optimizing classificationem. et processus technologiae materiae Pii degradatae.Quamquam consumptio unctae siliconis polycrystallini siliconis alta est, productio lagani pii lagani polycrystallini sumptus relative altum est, quia ingots siliconis polycrystallini producuntur ab iaciendo calido liquato, dum monocrystallini silicones ingots solent produci per lentum incrementum in fornacibus unius crystalli Czochralski; quae consumit relative alta potentia.Humilis.Anno 2021, mediocris productio laganae pii monocrystallini fere 0,673 Yuan/W erit, et laganae siliconis polycrystallini 0,66 Yuan/W erunt.
Cum crassitudo lagani lagani decrescit et diameter fili busbaralis adamantis decrescit, output virgarum pii/ingorum diametri aequalis per kilogram crescet, et numerus virgarum siliconum crystallinorum unius eiusdem ponderis erit altior eo. de polycrystallini pii adstantibus.Secundum potentiam, vis laganum silicum ab unoquoque laganum variat pro genere et magnitudine.In 2021, output of p-type 166mm magnitudo monocrystallinarum clausurarum quadratarum est circiter 64 frusta per kilogrammos, et output ingotiorum polycrystallini quadratorum circiter 59 frusta est.Inter p-typum unum laganum cristallinum pii, output 158,75mm magnitudo monocrystallinarum virgarum quadratarum est circiter 70 frusta per kilogrammum, output p-type 182mm magnitudo unius virgae quadratae cristallina est circiter 53 frusta per kilogram, et output p. -type 210mm magnitudo singulae virgae crystallinae per kilogram circiter 53 frusta sunt.Output bar quadratae circiter 40 frusta sunt.Ab 2022 ad 2030, continua extensio laganae Pii ad numerum baculorum siliconum eiusdem voluminis haud dubie auctum ducet.Minor diameter fili busbaris adamantis et particulae mediae adiuvabit etiam damna incisionem minuere, ita numerum laganae productarum augere.quantitas.Aestimatur in 2025 et 2030, output of p-typus 166mm magnitudine virgarum monocrystallinarum quadratarum circiter 71 et 78 fragmentorum per kilogrammos, et outputum polycrystallini quadrati ingoti circiter 62 et 62 frusta, quae ob forum humile. pars polycrystallina lagana Pii difficile est progressum technologicum significans causare.Sunt differentiae in potentia diversa genera et magnitudinum laganae Pii.Iuxta nuntiationem data pro potentia mediocris 158.75mm laganae siliconum est circiter 5.8W/fragmen, potentia mediocris laganarum siliconum 166mm est circiter 6.25W/ frusta, et virtus mediocris 182mm laganae siliconum est circiter 6.25W/fragmen. .Vis media magnitudinis lagani siliconis circiter 7.49W/fragmentum est, et vis mediocris magnitudinis 210mm lagani siliconis circiter 10W/partitum est.
Superioribus annis, lagana silicones sensim in magnae magnitudinis directione succreverunt, et magnae molis ad vim unius spumae augendam adiuvat, eo quod cellulis non-silicis dispendium diluit.Attamen magnitudo uncta Pii temperatio etiam opus est ut fluminis et amni congruens ac normae exitus consideret, praesertim onus et quaestiones venae altae.Nunc duo castra in foro spectantia ad futuram progressionem directionem magnitudinis lagani Pii, scilicet 182mm magnitudo et 210mm magnitudo.Propositio 182mm maxime est ex prospectu integrationis industriae verticalis, secundum considerationem institutionis et translationis cellularum photovoltaicarum, potentia et efficacia modulorum, synergia inter flumen et amni;dum 210mm maxime in contextu productionis sumptus et sumptus systematis est.Output of 210mm laganae siliconum augetur plus quam 15% in processu unius virgae fornacis trahentis, sumptus productio in amni fere 0.02 Yuan/W redacta est, et summa statio instrumenti virtutis redacta per circiter 0.1 Yuan/ Rev.Paucis proximis annis expectatur laganum silicum cum magnitudine infra 166mm paulatim eliminandum;fluminis et amni congruens problemata 210mm lagana pii gradatim efficaciter solventur et sumptus gravioris momenti fiet in conatibus obsidendis et productionibus.Ideo mercatus portionem 210mm lagana Pii augebit.Stabilis oritur;182mm laganum pii magnitudinum amet in foro ex commodis suis in productione directo integrata fiet, sed cum progressione solutionis 210mm lagani pii technologiae technologiae, 182mm cedet.Praeterea difficile est lagana majora mediocria in foro in his paucis annis late adhibenda, quia laboris sumptus et institutionis periculum magnum amplitudinis laganae pii magno multum augetur, quod difficile est ab cingulo. compendia in sumptibus productionis et ratio sumptibus..In 2021, laganum silicum magnitudinum in foro includunt 156,75mm, 157mm, 158,75mm, 166mm, 182mm, 210mm, etc. Inter eos, magnitudo 158,75mm et 166mm pro 50% totius computantur, et magnitudo 156,75mm decrevit ad 5%, quod paulatim in futurum substituitur;166mm est maximae magnitudinis solutio quae potest upgraded fieri ad lineam productionis pugnae existentem, quae in praeterito biennio erit maxima magnitudo.Secundum magnitudinem transitus, expectatur mercatus partem minorem quam 2% in 2030 fore;coniuncta magnitudo 182mm et 210mm rationem 45% in 2021 habebunt, et mercatus participes in futurum augebunt.Exspectatur totum mercatum commune in MMXXX XCVIII% excedet.
Nuper, mercatus partes siliconis monocrystallini augere perseveravit et in foro amet locum occupavit.Ab MMXII ad 2021, proportio monocrystallini siliconis a minore quam 20% ad 93,3% surrexit, notabile incrementum.Anno 2018, lagana silicon in foro sunt lagana silicon maxime polycrystallina, ac plus quam 50% computantur.Praecipua ratio est, quod commoda technicae unctae siliconis monocrystallinae incommoda sumptus operire non possunt.Ab 2019, sicut conversio photoelectrica efficacia monocrystallini lagana pii lagana signanter superavit quam lagana siliconis polycrystallini, et lagana siliconis monocrystallini productione sumptus cum progressu technologico declinare perseverunt, mercatus lagana monocrystallini pii lagana participes augere et fieri persevit. amet in foro.uber.Exspectatur proportio unctae siliconis monocrystallini circa 96% 2025 perventura, et mercatus laganae partis 97.7% in 2030. (Report source: Future Think Tank)
1.3.Batteries: PERC batteries foro dominantur, et progressio n-type batteries producti qualitatem impellit
Medius ligamen catenae industriae photovoltaicae includit cellulas photovoltaicae et modulos cellae photovoltaicae.Processus laganae in cellas Pii maximus gradus est in conversione photoelectric intellegens.Circiter septem gradus accipit ut cellam conventionalem e lagano silicon emittat.Primum, pone laganum laganum in acidum hydrofluoricum, ad structuram pyramidis instar suedam in sua superficie producendam, reducendo reflexionem solis et effusio lucis augentem;secundus est Phosphorus diffunditur in superficie unius lateris lagani pii ad commissuram PN coniunctam, eiusque qualitatem directe afficit cellae efficientiam;tertia est, ut e parte lagani siliconis per diffusionem unctae PN, ne brevis cellae circuitus impediat;Pii iacuit cinematographicus nitridis in ea parte qua PN coniunctas formatur ad minuendam lucem reflexionem et simul augendam efficientiam;quintus est electrodes metallicus imprimere in fronte et dorso lagani Pii ad colligendas minoritas tabellarios a photovoltaicis generatos;Circuitus impressus in sceno typographico siteratus et formatus, et integratur cum lagano pii, id est, cellula;denique cellulae cum diversis efficientiis classificatae sunt.
Crystallinae cellulae pii plerumque fiunt cum lagana pii subiectae, et dividi possunt in cellulas et n-species cellulas secundum genus laganae siliconis.Inter eas cellae n-typus habent efficientiam altiorem conversionem et paulatim reponunt cellulas p-typus his annis.P lagana silicon-genus siliconibus dopingi cum boron fiunt, et lagana pii phosphori fiunt.Ideo elementi boron in n-type laganum pii laganum minor est, quo nexus boron-oxygeni inhibuit, meliori minoritate tabellarius in vita materiae siliconis, et eodem tempore nulla minutio photographica effecerunt. in pugna.Praeterea cursores minoritatis n-typorum foramina sunt, minoritas cursorium p-typus electrons sunt, et sectione spurcissima atomorum spurcissimarum phaleras foraminum minor est quam electrons.Ergo minoritas tabellarius vita cellae n-typi altior est et in rate conversionis photoelectric altior est.Secundum data laboratorium, superior modus conversionis efficientia cellularum p-typorum est 24,5%, et conversio cellularum n-typei efficientia usque ad 28.7% est, ita n-type cellae progressionem directionis technologiae futurae repraesentant.Anno 2021, cellulae n-typus (maxime inclusae cellae heterojunctio et TOPCon cellae) relative magnae impensae habent, et momentum productionis massae adhuc parvae sunt.Mercatus currentis participes est circiter 3%, quod plerumque idem est ac quod in 2020 .
Anno 2021, conversio cellularum n-typorum efficientia insigniter emendabitur, et expectatur plus spatium progressui technologici in proximo quinquennio.Anno 2021, magna-scala productio cellularum monocrystallinarum PERC technologiam adhibebit, et mediocris conversio efficientia 23.1% perveniet, augmentum 0.3 recipis puncta cum 2020 comparata;conversio efficientiam polycrystallini nigrae cellulis siliconibus utens PERC technologiam 21.0% attinget, cum 2020. Annua incrementa 0.2 cento puncta;conventionalis polycrystallinus niger cellae siliconis melioratio efficientiae non est fortis, conversio efficientia in 2021 fere 19.5% erit, tantum 0.1 punctum recipis superiorem, et futurum spatium ampliationis efficientiae limitatur;mediocris conversio efficientia cellularum monocrystallinarum PERC ingot est 22,4%, quae 0,7 recipis puncta inferiora sunt quam cellae monocrystallinae PERC;mediocris conversionis efficientiam n-type TOPCon cellulis 24% attingit, et mediocris conversionis efficientia hetero- junctionis cellularum 24.2% attingit, quarum utraque comparata cum 2020 valde emendata sunt, et mediocris conversionis efficientia IBC cellularum 24.2% attingit.Cum progressu technologiae in futurum, technologiae altilium TBC et HBC etiam progredi possunt.In futurum, cum productionis sumptuum reductione et cessionis emendatione, n-type batterie una e praecipuis progressionis directionibus technologiae altilium technicae erit.
Ex prospectu pilae technologiae itineris, iterativa renovatio technologiae altilium BSF, PERC, TOPCon in emendatione PERC nititur, et HJT, nova technologia quae PERC subvertit;TOPCon componi ulterius cum IBC ad formandum TBC, et HJT componi etiam cum IBC ut HBC.P-typus cellae monocrystallinae maxime utuntur PERC technologiae, p-typo cellae polycrystallinae includunt polycrystallinas nigras cellulas silicones et cellas monocrystallinas regulas, haec adiectam crystallinam monocrystallini seminis ex processu conventionali polycrystallini ingot processum, solidificationem directionalem Postea, a. quadratum silicon ingot formatur, et laganum silicon cum cristallo unico et polycrystallino mixtum fit per seriem processus processus.Quia essentialiter utitur itinere praeparationis polycrystallinae, comprehenditur in categoria cellularum p-type polycrystallinarum.Cellae n-type maxime includunt TOPCon cellulas monocrystallinas, HJT cellulas monocrystallinas et IBC cellas monocrystallinas.Anno 2021, nova massa productio linearum adhuc a PERC linearum productione cellularum dominabitur et mercatus cellarum PERC participes amplius ad 91,2% augebitur.Cum producti postulatio pro velit et inceptis domesticis in altum efficientiam productorum intenta, mercatus communis BSF batteries ab 8.8% ad 5% in 2021 decidet.
1.4.Moduli: Custus cellularum principalem rationem reddit, et potestas modulorum e cellulis pendet
Productio gradus modulorum photovoltaicorum maxime includunt inter connexionem et laminationem cellulam, et cellulae rationem pro maiore parte totius moduli sumptus.Cum current et voltatio unius cellae valde parvae sunt, cellae per vectibus bus coniungi debent.Hic, in serie ad intentionem augendam connexae sunt, ac deinde in parallela ad altam venam obtinendam connexae, ac deinde vitrum photovoltaicum, EVA vel POE, altilium Sheet, EVA vel POE, scheda posteriora signata sunt et calor quodam ordine pressus. et tandem munitus aluminium artus et silicone ore signavit.Ex prospectu componentis productionis sumptus compositionis, rationum materialium sumptus 75%, principale obtinens locum, sequitur sumptus fabricandi, sumptus et laboris sumptus.Sumptus materiae sumptum cellularum ducitur.Secundum nuntia e multis societatibus, cellulae circiter 2/3 rationem sumptus modulorum photovoltaicorum totalis.
Moduli photovoltaici plerumque secundum cellam generis, magnitudinem et quantitatem dividuntur.Discrepantiae sunt in vi diversorum modulorum, sed omnes in exortu.Potestas clavis index est modulorum photovoltaicorum, repraesentans facultatem moduli energiam solarem in electricitatem convertendi.Ex vi statistica diversorum generum photovoltaicorum modulorum constare potest quod, cum eadem sit magnitudo et numerus cellularum in modulo, virtus moduli est n-typus unius crystalli > p-typus unius crystallini > polycrystallini;Quo maior est magnitudo et quid, eo major vis moduli est;nam TOPCon unius moduli crystallini et hetero- junctionis ejusdem specificationis moduli, virtus posterioris major est quam illius.Secundum CPIA praesagio, vis moduli ab 5-10W per annum in paucis annis proximo crescet.Praeterea moduli packaging damnum quamdam vim afferet, maxime in iis damnum opticum et damnum electrica.Illa causatur ex mis- plici transmissione et optica materiarum sarcinarum ut vitrum photovoltaicum et EVA, hoc autem maxime refert ad usum cellularum solaris in serie.Ambitus iactura per resistentiam vittae et vectis bus ipsae causatur, et damnum currentis inpar causatur per nexum parallelum cellularum, tota potentia amissio duarum rationum circiter 8%.
1.5.Facultas photovoltaica inaugurata: Politiae ex variis nationibus plane agitatae sunt et ingens spatium est novarum inauguratione facultatum in futuro
Mundus fundamentaliter consensionem in nullas emissiones rete sub meta tutelae environmental attigit, et oeconomicae inceptae photovoltaicae superimpositae sensim emerserunt.Nationes strenue explorant progressionem virtutis renovationis energiae generationis.Annis circa orbem terrarum onera emissiones carbonis minuendae fecerunt.Plurimi gasi majoris CONSERVATORIUM emitterent scopos energiae renovabiles respondentes formarunt, et capacitas inaugurata energiae renovabilis ingens est.Ex scopo temperaturae 1.5℃, IRENA praedicat facultatem industriae renovationis globalis inauguratam perventurum esse 10.8TW in 2030. Praeterea, secundum data WOODMac, libramentum sumptus electricitatis (LCOE) generationis virtutis solaris in Sinis, India, Civitates Americae Unitae et aliae nationes vilissima fossilia energia iam humiliora sunt et in futurum adhuc declinant.Activa promotio consiliorum in variis Nationibus et in oeconomicis generationis potentiae photovoltaicae ad stabilis incrementum perduxit in facultate cumulativa inaugurata photovoltaicorum in mundo et Sinis his annis.Ab MMXII ad 2021, capacitas cumulativa inaugurata photovoltaicorum in mundo ab 104.3GW ad 849.5GW crescet, et capacitas cumulativa inaugurata photovoltaicorum in Sinis ab 6.7GW ad 307GW crescet, incrementum supra 44 temporum.Praeterea, Sinarum capacitas photovoltaica nuper inaugurata rationem reddit plusquam XX% totius mundi capacitatis inauguratae.Anno 2021, Sinarum capacitas photovoltaica nuper inaugurata est 53GW, ac circiter 40% mundi capacitatem nuper inauguratam.Hoc maxime debetur copiosae et aequabilium lucis industriarum subsidiorum distributione apud Sinas, fluminis et amni bene evolutae, et validum adiumentum nationalis artis.Hoc tempore, Sina ingens munus in generationis potentiae photovoltaicae egit, et capacitas cumulativa inaugurata minus quam 6.5% aestimavit.misit ad 36,14%.
Ex analysi superius fundata, CPIA praesagio dedit novarum institutionum photovoltaicarum ab 2022 ad 2030 toto orbe auctas.Aestimatur sub conditionibus tam optimisticis quam conservativis, globalem facultatem nuper inauguratam anno 2030 habitudinem esse 366 et 315GW respective, et Sinarum capacitatem nuper inauguratam futuram esse 128. , 105GW.Infra providebimus postulationem polysilicon secundum scalam capacitatis nuper inauguratam quolibet anno.
1.6.Postulare praenuntiationem polysilicon ad applicationes photovoltaicae
Ab anno 2022 ad 2030, ex CPIA praesagio globalis institutionum PV nuper auctarum sub missionibus tam optimisticis quam conservativis, postulatio polysilicon applicationis PV dici potest.Cellae clavis sunt gradus ad conversionem photoelectricam cognoscendam, et lagana silicones sunt materias rudis cellularum fundamentales et directa amni polysilicon, ergo est magna pars polysilicon postulationis praevidens.Numerus frustularum per kilogram virgarum siliconum et ingotiorum ponderatus computari potest ex numero frusta per kilogram et mercatus partem virgarum et ingotiorum siliconum.Deinde, secundum potestatem et mercatum lagani Pii diversarum magnitudinum participes, pondus laganae siliconis obtineri potest, et tunc requisitus numerus laganae siliconis aestimari potest secundum capacitatem photovoltaicam nuper inauguratam.Deinde pondus virgarum siliconum et ingotiorum requisitorum obtineri potest secundum quantita- tivam relationem inter numerum lagani siliconum et pondus baculi siliconis et ingots siliconum per kilogramme.Praeterea coniuncta cum consummatione virgarum siliconum/silicon ingots ponderatis siliconibus, postulatio polysilicon pro facultate photovoltaica nuper inaugurata obtineri potest.Secundum eventus praesagio, postulatio globalis polysilicon novarum officinarum photovoltaicarum in quinquenniis praeteritis annis 2027 surgere perget, et deinde in proximo triennio leviter declinans.Aestimatur sub condiciones optimas et conservativas anno 2025, globalem annuam postulationem polysilicon institutionum photovoltaicarum fore 1,108,900 talentorum ac 907, 800 talentorum respective, et globalem postulationem polysilicon applicationum photovoltaicarum in 2030 fore 1,042,100 talentorum sub condiciones optimas et conservativas. ., 896,900 talenta.Secundum Sinarumproportio photovoltaicae globalis capacitatis inaugurata;Sinarum postulatio polysilicon pro usu photovoltaico anno 2025exspectatur 369, 600 tons ac 302, 600 talentorum respective sub condiciones optimas et conservativas, ac 739, 300 tons et 605, 200 tons transmarinas respective.
2, Semiconductor finis postulat: Scala multo minor quam postulatio in agro photovoltaico et incrementum futurum expectari potest.
Praeter ad cellulas photovoltaicas faciendas, polysilicon etiam adhiberi potest ut materia rudis ad astulas faciendas et adhibetur in agro semiconductore, qui dividi potest in fabricandis autocinetis, electronicis industrialibus, communicationibus electronicis, instrumentis domesticis et aliis agris.Processus a polysilico ad chippis maxime dividitur in tres gradus.Primum, polysilicon in monocrystallinum ingots pii trahitur, deinde in lagana pii tenues inciditur.Silicon lagana per seriem stridoris, chamfericae et poliendi operationes producuntur.quae est materia rudis elementaris officinas semiconductoris.Denique laganum silicum incisum est et laser in varias structuras ambitus insculptum, ut producta cum quibusdam notis chippis efficiat.Communia lagana pii maxime includunt lagana polita, lagana epitaxialia et lagana SOI.laganum politum est materia productionis cum magna plani- tudine, expoliendo laganum silicum ad tollendum iacum laesum in superficie, quod directe adhiberi potest ut astulas, lagana epitaxiales et lagana SOI lagana SOI.lagana epitaxialia per epitaxialem augmentum laganae politae obtinentur, dum lagana SOI pii lagana fabricantur per compagem vel ion implantationem lagani substrati politi, et processus praeparationis difficilis est.
Per postulationem polysilicon in parte semiconductoris anno 2021, cum procuratione procurationis incrementi semiconductoris industriae in paucis annis proximis, postulatio polysilicon in campo semiconductoris ab 2022 ad 2025 dure aestimari potest.Anno 2021, global electronic-gradus polysilicon productio rationem circiter 6% totius polysilicon productionis rationem reddet, et polysilicon et silicon granulosum-gradus solaris circiter 94% rationem reddet.Maxime electronic-gradus polysilicon in agro semiconductore adhibetur, et alia polysilicon plerumque in industria photovoltaica adhibetur..Sumi igitur potest quantitatem polysilicon in usu semiconductoris industriae anno 2021 circiter 37000 talentorum esse.Praeterea, secundum futurum compositum incrementum rate semiconductoris industriae a FortuneBusiness Insights praedictae, postulatio polysilicon usui semiconductoris crescet ad ratem annuam 8.6% ab 2022 ad 2025. Aestimatur quod in 2025, postulatio. polysilicon in agro semiconductore circiter 51,500 talenta erit.(Report source: Future Think Tank)
3, Polysilicon importat et exportat: exportationes longe excedunt, cum Germania et Malaysia pro maiore ratione
Anno 2021, circiter 18.63% postulatio polysilicon Sinarum ab importationibus veniet, et scala importum longe excedit scalam exportationis.Ab 2017 ad 2021, significatio et exportatio exemplaris polysilicon ab importationibus dominatur, quae ob vehementiam amni postulationem industriae photovoltaicae quae recentibus annis celeriter elaboravit et postulatio rationum polysilicon plusquam 94% ipsius summa postulatio;Praeterea societas productionis technologiae excellentis puritatis electronic-gradus polysilicon nondum coercuit, ideo quidam polysilicon ab integro ambitu industriae postulatum etiamnum importibus niti debet.Secundum datas Industry Germen Siliconis, importatio voluminis continuavit declinare ab anno 2019 et 2020. Fundamentalis ratio declinationis polysilicon importat in 2019 auctum substantialem in capacitate productionis, quae orta est ab 388,000 talentis ab 2018 ad 452,000 millia talentorum. Eodem tempore, OCI, REC, HANWHA nonnullae turmae transmarinae, ut nonnullae societates transmarinae, a polysilicone industria ob damna recesserunt, itaque importae dependentiae polysilicon multo inferioris sunt;licet capacitas productionis anno 2020 non creverit, impetus epidemiae moras in constructione inceptis photovoltaicis effecit, et numerus ordinum polysilicon eodem tempore decrevit.Anno 2021, mercatus photovoltaicus Sinarum celeriter explicabitur, et consumptio apparentis polysilicon perveniet 613,000 talentorum, agitans volumen importare ut resiliant.Praeteritis quinque annis volumen Polysilicon Sinarum importat inter 90,000 et 140,000 millia talentorum fuisse, e quibus circiter 103,800 talenta anno 2021 . Expectatur Polysilicon rete Sinarum importare volumen circa 100,000 millia talentorum per annum ab 2022 ad 2025 mansurum.
Polysilicon Sinarum importat principaliter ex Germania, Malaysia, Iaponia et Taiwan, Sinis, et summa importat ex his quattuor terris rationem 90,51% anno 2021. Circiter 45% polysilicon Sinarum importationes ex Germania, 26% ex Malaysia veniunt, 13.5% ex Iaponia et 6% ex Taiwan.In Germania polysilicon gigantis WACKER mundi possidet, qui maximus est polysilicon transmarinarum fons, 12.7% totius productionis globalis capacitatis computans pro anno MMXXI;Malaysia magnum numerum habet polysilicon lineae productionis ab OCI Societatis Coreae Meridianae, quae oritur ex linea productionis originalis in Malaysia de TOKUYAMA, societas Iaponica ab OCI acquisita.Sunt officinae et nonnullae officinae quae OCI ex Corea Meridiana in Malaysia movebuntur.Causa relocationis est quod Malaysia liberum spatium officinas praebet et sumptus electricitatis tertia inferior quam Coreae Meridionalis est;Iaponia et Taiwan, Sina TOKUYAMA, GET et aliae societates habent, quae magnam partem polysilicon productionis occupant.locus.Anno 2021, polysilicon output erit 492,000 talentorum, quae nuper inaugurata capacitas photovoltaica et productio chippis postulabit, respective 206, 400 talenta et 1,500 talenta, reliquae 284, 100 talenta maxime adhibebuntur ad processui amni et ultra transmarinas exportandos.In amni nexus polysilicon, lagana pii, cellae et moduli maxime exportantur, inter quas exportatio modulorum maxime eminet.In 2021, 4.64 miliarda lagana Pii et 3.2 miliarda cellulae photovoltaicae factae suntexportatume Sinis, cum totali exportatione 22.6GW et 10.3GW respective, et exportatio modulorum photovoltaicorum 98.5GW est, cum paucissimis importibus.Secundum compositionem pretii exportationis, moduli exportationes in 2021 US$24.61 sescenti perveniet, 86% computans, lagana silicones et batteries sequentur.In 2021, unctae siliconis unctae, cellulae photovoltaicae, et moduli photovoltaici ad 97,3%, 85,1%, et 82,3%, ad locum obtinebunt.Exspectatur industriam photographicam globalem industriam in Sinis intra triennium proximis intendere, et volumen uniuscuiusque paginae outputum et exportandum multum erit.Ideo aestimatur ab 2022 ad 2025, quantitatem polysilicon ad usum processus et productos amni producendos et foris exportandos sensim augendos esse.Ex partibus transmarinis subtrahendo polysilicon postulare aestimatur productione transmarinarum.Anno 2025, polysilicon, quod in amni producta processu produci aestimabitur, 583,000 Tons exportare in terras externas e Sinis.
4, Summa et Outlook
Postulatio polysilicon globalis maxime colligitur in agro photovoltaico, et postulatio in campo semiconductoris ordo magnitudinis non est.Postulatio polysilicon a officinarum photovoltaicarum agitatur et paulatim ad polysilicon transmittitur per nexum modulorum lagani photovoltaici generantis postulatum.In futurum, cum incrementum photovoltaicum globalis capacitatis inauguratae, postulatio polysilicon plerumque optimisticum est.Optimistice, Sinarum et ultra PV officinae nuper auctae sunt, quae postulationem polysilicon anno 2025 efficiunt, respective 36.96GW et 73.93GW, et postulatio sub conditionibus conservativis etiam respective ad 30.24GW et 60.49GW perveniet.Anno 2021, copia polysilicon globalis et postulatio stricta erit, unde in pretia global polysilicon alta erunt.Haec condicio usque ad 2022 perstare potest, et paulatim ad stadium copiae solutae post 2023. In secunda parte anni 2020, impetus pestilentiae coepit debilitare, et productio expansio amni postulationem polysilicon compulit, et nonnullae societates principales destinatae sunt. dilatare productionem.Attamen cyclus expansio plus quam unus et semis annorum consecutus est in emissione facultatis productionis sub fine 2021 et 2022, inde in 4.24% aucto anno 2021. Copia est lacunae 10,000 talentorum, ideo pretia surrexerunt. acriter.Praedixit anno 2022, sub condiciones optimae et conservativae capacitatis photovoltaicae inauguratae, rima copia et postulatio -156, 500 talentorum ac 2,400 talentorum respective erit, et summa copia in statu respective brevitate adhuc erit.Anno 2023 et ultra, nova incepta quae in fine anni 2021 et primo 2022 constructionem inceperunt, productionem incipiet et aggerem in facultate productionis consequetur.Supple et postulare paulatim solventur, et pretia sub ima cogente possunt.In sequentibus, ratio habenda est ad impulsum exemplaris industriae Russiae-Ucrainae belli globalis, quod consilium globalem mutare potest pro capacitate photovoltaica nuper inaugurata, quae postulationem polysilicon afficiet.
(Hic articulus solum ad clientes UrbanMines referendum est et consilium aliquem investment non repraesentat.