1. Polysilicon catena industriae: Processus productionis complexus est, et amni feruntur in semiconductoribus photovoltaicis.
Polysilicon maxime nascitur ex siliconibus industrialibus, chlorine et hydrogenio, atque in flumine industriae photovoltaicae et semiconductoris catenis collocatur.Secundum CPIA notitia, methodus productionis polysilicon amet in mundo siemens modificatio est methodus, praeter Sinas, plus quam 95% polysilicon per methodum Siemens mutatam producitur.In processu polysilicon parandi a methodo Siemens emendato, primum gas chlorinum cum hydrogenio gasi ad chloridem generandum componitur, et deinde cum pulvere Pii recedit post contritionem et stridorem siliconis industrialis ad trichlorosilanam generandam, quae adhuc minuitur. hydrogenii gas ad polysilicon generant.Silicon polycrystallinus liquari et refrigerari potest ad adstantias siliconis polycrystallinas faciendas, et silicon monocrystallinus a Czochralski vel zona liquari etiam potest.Cum silicon polycrystallino, una cristallus siliconis granis crystallinis cum eadem cristallo orientatione componitur, unde melius electricae conductivity et conversionis efficaciam habet.Tam polycrystallinae ambages silicones et monocrystallinae virgae siliconis amplius secari possunt et in lagana silicones et cellulas discursum esse, quae vicissim partes clavis photovoltaici modulorum fiunt et in agro photovoltaico adhibentur.Praeter lagana Pii cristalli singula etiam in lagana pii formari possunt crebris stridoribus, poliendo, epitaxy, emundatione et aliis processibus, quae substratae materiae semiconductoris electronicis cogitationibus adhiberi possunt.
Polysilicon immunditiae continentiae stricte requiritur, et industria notas capitalis collocationis altae et claustra technicae altae habet.Cum puritas polysilicon gravissime afficit unicum cristallum processum Pii trahendi, puritas requisita arctissima sunt.Minima puritas polysilicon est 99,9999%, summa infinite proxima est ad 100%.Praeterea signa nationalia Sinarum perspicua requiruntur ad immunditiam contenta, eoque nituntur, polysilicon in gradus I, II, III divisum est, quarum materia boron, phosphorus, dolor et carbo maximus index est referentiae."Polysilicon Industry Access Conditions" statuit ut inceptum integrum qualitatem rationemque administrationis habere debere, et signa producta signis nationalibus stricte parere;condiciones accessus praeterea exigunt etiam scalam et industriam consumptionem polysiliconum inceptis productionis, sicut gradus solaris, polysilicon electronici gradus. Scala consilii maior est quam 3000 talentorum/annorum et 1000 talentorum/annorum, ac minimarum rationum capitalium. in obsidione novarum constructionis et refectionis et expansionis incepta non minora quam 30% erunt, ideo polysilicon capitale-intensivum industriae est.Secundum CPIA mutant, collocatio sumptus 10,000-ton polysilicon instrumenti productionis lineae instrumentorum in operando in 2021 paulum auctus est ad 103 decies centena millia Yuan/kt.Ratio oritur in pretio materiae metalli mole.Exspectatur obsideri sumptus in futuro augeri cum progressu instrumentorum technologiae productionis et decrementum monomerorum sicut magnitudo augetur.Secundum normas, vis consumptio polysilicon ad gradus solaris et reductionis electronic-gradus Czochralski minor 60 kWh/kg et 100 kWh/kg et requisita respective stricte sunt.Polysilicon productio tendit ad industriam chemicam pertinere.Processus productio est secundum quid complexus, et limina viarum technicarum, armorum electio, commissio et operatio alta est.Processus productionis multas reactiones chemicas implicatas implicat, et numerus nodis regiminis plus quam 1,000.Difficile est novis entrantibus Celeriter magister mature artificium.Ideo sunt altae capitales et technicae claustra in polysilicon productionis industriae, quae etiam artifices polysilicos promovet ad exsequendam optimam technicam optimizationem processus currendi, pacandi et translationis processum.
2. Polysilicon classificatio: puritas determinat usum, et gradus solaris occupant amet
Pii polycrystallini, forma elementi Pii, ex cristallo granis cum diversis orientationibus cristallinae componitur et maxime purgatur processus pii industrialis.Species polysilicon est metallicum griseum nitens, punctum liquescens circa 1410℃.torpet in cella temperie et acrior in statu liquefacto.Polysilicon proprietates semiconductores habet et est materia gravissima et praestantissima semiconductor, sed parva moles immunditiae multum potest eius conductionem afficere.Multi sunt modi classificationis in polysilicon.Praeter praedictam classificationem secundum signa nationalia Sinarum, tres methodi potiores classificationis hic allatae sunt.Secundum diversitatem puritatis requisita et usus, polysilicon in polysilico-gradum solarem et electronic-gradum polysilicon dividi potest.Polysilicon-gradus solaris maxime adhibetur in productione cellarum photovoltaicarum, cum polysilico-gradus electronicus late adhibetur in ambitu integrali industriae sicut materia rudis pro astularum et aliis productionibus.Puritas polysilicon-gradus solaris 6~8N est, hoc est, tota immunditia contentorum minor quam 10 -6 requiritur, et puritas polysilicon attingere debet 99,9999% vel plus.Puritas requisita polysilicon electronici gradus duriores sunt, cum minimum 9N et maximum currenti 12N.Productio polysilico-graduum electronicorum inter se difficilis est.Pauci sunt inceptis Sinensium quae productionem technologiae polysilicon electronico-gradu dominarunt, et adhuc relative dependent ab imports.Nunc, output polysilicon-gradus solaris multo maior est quam polysilico-gradus electronici, et illud circiter 13.8 temporibus istius.
Secundum differentiam sordes immunditiae et conductivity speciei materiae Pii, dividi potest in P-typum et N-typum.Pii cum elementis immunditiis acceptoribus instillatur, ut boron, aluminium, gallium, etc.Pii cum elementis immunditiis donatoris extinguitur, ut phosphorus, arsenicum, antimonii etc., ab electronico conduction dominatur et est N-typus.P-type gravida maxime includunt BSF gravida et PERC gravida.In 2021, PERC gravida plus quam 91% fori globalis rationem reddent, et BSF lagunculae tollentur.Tempore quo PERC substituit BSF, conversio efficientia cellularum P-typorum aucta est a minus quam 20% ad plus quam 23%, quod appropinquaturus est theoricam superiorem limitem 24,5%, theoricam superiorem limitem N- cellulae genus 28.7% sunt, et cellae N-typus habent efficientiam altam conversionem, Ob commoda altae rationi bifacialis et temperaturae coefficientis, societates massarum linearum productionis pro N-type batteries explicandi inceperunt.Secundum praenuntiationem CPIA, proportio gravidarum N-typorum signanter augebit ab 3% ad 13.4% in 2022. Exspectatur in quinquenniis proximis, iteratio altilium N-typi ad P-typum pugnae inducentur. Secundum qualitatem superficiei diversam, dividi potest in materiam densam, materiam BRASSICA et materiam corallium.Superficies materiae densae habet infimum gradum concavitatis, minus quam 5mm, nullum colorem abnormitatem, nullum oxidationis interpositum, et maximum pretium;superficies materiae BRASSICA modice concavitatis, 5-20mm, sectio modica, et pretium medium est;Superficies autem corallium graviorem habet concavitatem, Altitudo 20mm major est, sectio soluta est, et pretium est infimum.Materia densa praecipue ad pii monocrystallinum hauriendum adhibetur, dum BRASSICA materia et materia corallia maxime adhibentur ad lagana siliconis polycrystallina.In cotidianis inceptis productione, materia densa non minus quam 30% BRASSICA obsolescere potest ad Pii monocrystallinum producendum.Sumptus materiarum rudium salvari possunt, sed usus materiae BRASSICA cristallum efficientiam quodammodo rediget.Inceptis opus est eligere proportionem doping convenientem perpensis duobus.Nuper pretium interest inter materiam densam et materiam BRASSICA basically confirmata in 3 RMB / kg.Si differentia pretii ulterius dilatatur, societates considerare possunt materiam BRASSICA plus doping in monocrystallino pii trahente.
3. Processus: Siemens methodus amet occupat, et consummatio potentiae clavis mutationi technologicae fit
Processus productionis polysilicon in duos gradus dure dividitur.In primo gradu, pulveris siliconis industrialis portavit chloridum anhydroum cum hydrogenio ad trichlorosilanam et hydrogenium obtinendum.Post repetitam distillationem et purificationem gaseorum trichlorosilanum, dichlorodihydrosilicon et silanum;secundus gradus est reducere praedictam puritatem gasi ad Pii crystallinum cristallinum, et reductio gradus differt in methodo Siemens modificato et methodo lecti silani fluidi.Melior Siemens methodus adultam technologiam producendi et uberrimam qualitatem producendi habet, et nunc maxime technologiae productionis usitata est.Traditum Siemens methodus productionis adhibenda est chlorine et hydrogenii ad synthesinandam chloridem anhydroum hydrogenii, hydrogenii chloridi et siliconis industriae tritum, ad trichlorosilanam quandam temperiem componendam, ac deinde trichlorosilanam separandam, corrigendam et purificandam.Silicon scelerisque reductionem reactionem patitur in hydrogenii reductione fornacem ad elementum Pii in core depositum obtinendum.Ex hoc fundamento, processus Siemens melioris instructus est etiam processu adiuvante ad redivivum permagnam quantitatem productorum sicut hydrogenii, hydrogenii chloridi, et tetrachloridi siliconis in processu productioni producto, maxime inter reductionem caudae gasi recuperationis et tetrachloridis siliconis reuse. amplificatur.Hydrogenium, hydrogenium chloridum, trichlorosilanum, et tetrachloridum silicon in gas exhausto siccum recuperatione separantur.Hydrogenium et hydrogenium chloridum ad synthesim et purificationem cum trichlorosilane reddi possunt, et trichlorosilane directe in reductionem scelerisquerum reducitur.Purificatio in fornace exercetur, et silicon tetrachloridum hydrogenatur ad trichlorosilanum producendum, quod ad purificationem adhiberi potest.Hic gradus curatio hydrogenii frigidi etiam appellatur.Si considerans productionem clausuram, incepta significanter reducere possunt sumptionem materiae rudium et electricitatis, ita efficaciter gratuita productione salvifica.
Sumptus ad polysilicon producendi utendi methodum Siemens emendatam in Sinis includit materias rudis, industriam consummationem, imminutiones, expensas processus, etc. Progressus technologicus industriae signanter sumptus deiecit.Materiae rudis praecipue ad siliconos et trichlorosilanos industriae pertinet, consummatio energiae electricitatem et vaporem includit, et sumptus processus ad inspectionem et reparationem instrumentorum productionis spectant.Secundum statisticam Baichuan Yingfu de productione polysilicon in primo Iunio 2022 gratuita, materias rudis sunt summae sumptus item, ratio 41% totius sumptus, cuius industrialis Pii fons est principale siliconis.Consumtio Pii unitas communiter adhibita industria repraesentat quantitatem siliconis consumpti per unitatem productorum summae puritatis Pii.Methodus calculi est convertendi omnes materias silicon-continens, ut pulveris industrialis pii et trichlorosilane in purum silicon exsurgentes, et deinde chlorosilanum outsourcedatum sicut per Moles pii puri ex ratione contenti Pii conversi.Secundum CPIA notitia, planities consummationis siliconis ab 0.01 kg/kg-Si ad 1.09 kg/kg-Si in 2021 decidet. Expectatur emendatio hydrogenii curationis frigidae et productum redivivi, expectatur decrescere ad 1.07 kg/kg per 2030. kg-Si.Secundum statisticam incompletam, consumptio siliconum summorum quinque societatum Sinensium in industria polysilicon minor est quam industria mediocris.Notum est duos ex illis 1.08 kg/kg-Si et 1.05 kg/kg-Si consumpturos respective anno 2021. Secunda proportio summa est consumptio industriae, ac ratio 32% in summa, quarum electricitatis rationem 30% ipsius reddit. totalis sumptus, significans pretium et efficientiam electricitatem adhuc factores magni momenti pro productione polysilico.Duo maioris virtutis indicibus ad modum efficientiae sunt comprehensivae virtutis consumptio et consummatio potentiae reductionis.Reductio potentiae consummationis refertur ad processum reducendi trichlorosilane et hydrogenii ad materiam summi puritatis pii generandam.Virtus consummatio includit pii nucleum preheating et depositionem.caloris conservatio, finis evacuatio et alius processus potentiae consummatio.In 2021, cum progressu technologico et utendo energiae comprehensivo, mediocris vis comprehensiva consumptio productionis polysiliconum decrescet per 5.3% annos ad 63kWh/kg-Si, et mediocris reductionis potentiae consummatio per 6.1% annos decrescet. on-annum ad 46kWh/kg-Si, quod expectatur adhuc in futuro decrescere..Praeter, vilitas etiam magni momenti sumptus, rationem 17%.Notatu dignum est, secundum datam Baichuan Yingfu, totius productionis sumptus polysilicon in primo Iunio 2022 circiter 55,816 Yuan/ton, mediocris pretii polysilicon in foro circiter 260,000 Yuan/ton, et crassa lucrum margo erat. usque ad 70% vel amplius, ita magnum numerum conatibus investit in constructione facultatis productionis polysilicon traxit.
Dupliciter enim polysilicon artifices ad sumptus reducendos, unus est reducere impensas materiales rudis, et altera ad consummationem virtutis reducere.Secundum materiarum rudium artifices sumptus rudium materiarum reducere possunt, signando diuturnum tempus pacta cooperationis cum fabricantibus siliconibus industrialibus, vel aedificandi capacitatem productionis fluminis et amni integratae.Exempli gratia, polysilicon productionis plantae basically nituntur copiae siliconis industrialis sua.Secundum consumptionem electricitatis, artifices electricitatis sumptibus minuere possunt per pretium electricitatis humilium ac energiae consummationis emendationem comprehensivam.Circiter 70% electricitatis comprehensivae consumptio est consumptio electricitatis reductio, et reductio etiam est clavis nexus in productione summi puritatis siliconis crystallini.Maxime ergo capacitas productionis polysilicon in Sinis contrahitur in regionibus humilibus pretiis electricitatis ut Xinjiang, interioris Mongoliae, Sichuan et Yunnan.Sed, cum in progressione duorum carbonum consiliorum, difficile est magnam vim obtinere opes humilis sumptus.Ideo consummatio reductionis potentiae reductionis sumptus magis factibilis est hodie reductione.Viam.Nunc, efficax modus ad reductionem reductionis potentiae consummationis est augere numerum nucleorum siliconum in fornace reductionis, ita expansionem unius unitatis augere.Nunc, in Sinis genera reductionis amet fornacis sunt 36 paria virgarum, 40 paria virgarum et 48 paria virgarum.Fornax genus ad 60 paria virgarum et 72 paria virgarum upgraded est, sed simul etiam altiora requisita ad technologiam producendam inceptis profert.
Cum methodo Siemens emendato comparata, modus lecti silani fluidi tria commoda habet, una est humilis potentia consummationis, altera alta crystalli evulsio output, tertia est quod aequior est coniuncta cum provectioribus CCZ continua Czochralski technologia.Secundum datam Industry Germen Silicon, vis comprehensiva consumptio methodi lecti silani fluidi est 33,33% methodi Siemens melioris, et reductionis potentiae consummatio est 10% melioris methodi Siemens.Silanum lecti modum fluidum significantem energiam consummationis commoditatem habet.Secundum trahens crystallum, proprietates physicae siliconis granularis facilius possunt implere vicus uasculum in unico cristalli pii ligamine trahentis.Silicon polycrystallinus et silicon granulosum unum fornacem uasculum prehensionis capacitatis augere possunt per 29%, dum minuens tempus per 41%, signanter auget efficientiam trahens unius cristalli siliconis.Praeterea silicon granularem parvam diametrum habet et bonam fluiditatem, quae magis apta est methodo Czochralski continua CCZ.Nunc, technologia principalis unius crystalli trahens in medio et inferiore attingit, est RCZ una methodo crystalli re- mittentes, quae crystallum re- pascere et trahere post unam virgae Pii crystalli trahi est.Simul extractio exercetur, quae refrigerationem servat tempore unius virgae Pii crystalli, sic productio efficientia altior est.Celeri progressionis CCZ continua methodus Czochralski postulationem siliconis granularis etiam agitare.Etsi granularis siliconis quaedam incommoda habet, ut plus pulveris siliconis ex attritu generato, magna superficiei et facili adsorptione pollutantium, et hydrogenium in hydrogenio in liquatione componitur, quod facile est transilire, sed secundum recentissimas annuntiationes ad silicones granulosas pertinentes. conatibus, problemata emendantur ac nonnulli progressus est.
processus silaneus lecti fluidi maturescit in Europa et in Civitatibus Foederatis Americae, et est in infantia post introductionem inceptis Sinensium.Ineunte ab 1980s, silicon granularium peregrinum quod REC et MEMC repraesentatum productionem siliconis granularis explorare coepit et productionem magnam perspexit.Inter eos, REC integrae productionis capacitatis granularii siliconis centum milibus talentorum/anno 2010 pervenerunt, et cum suis Siemens calculis eodem tempore comparata, pretium minimum US$2-3/kg commodum habuit.Ob necessitates unius cristalli trahendi, productio siliconis granularis societatis stagnavit ac demum productionem obstruxerat, et in commune cum Sinis conversus est ut inceptum productionis ad rem siliconis granularis producendam conderet.
4. Materiae rudis: Industrialis Pii est nucleus materiae rudis, et copia necessitatibus occurrere expansioni polysilicon
Silicon industrialis nucleus est materia rudis productionis polysilicon.Exspectatur Sinarum output industrialis ab anno 2022 ad 2025. crescere constanter ab 2022 ad 2025. Ab 2010 ad 2021, productio silicae industrialis in scaena expansionis est, cum mediocris annui incrementi rate de capacitate producendi et ad 7.4% et 8.6% perveniens, respectively .Secundum SMM data, recens auctaindustriae Pii productionem facultatemin Sinis erunt 890,000 millia talentorum et 1.065 decies centena millia talentorum in 2022 et 2023 .Ponendo societates silicones industriales adhuc facultatem utendi rate et operandi rate circiter 60% in futuro conservabunt, Sinarum recenter auctae sunt.Facultas productionis anno 2022 et 2023 effectio incrementi efficiet 320,000 talentorum et 383,000 talentorum.Secundum opiniones GFCI,Sinae siliconis productionis industrialis capacitas in 22/23/24/25 est circiter 5.90/697/6.71/6.5 decies centena millia talentorum, respondens 3.55/391/4.18/4.38 decies centena millia talentorum.
Incrementa reliquarum duarum amnium regionum superimpositae siliconis industrialis relative tardus est et productio siliconis industrialis Sinarum basically occurrere potest productioni polysilicon.In 2021, capacitas productionis Pii industrialis Sinarum erit 5.385 decies centena millia talentorum, respondens 3.213 milia talentorum, ex quibus polysilicon, silicon organicum, et aluminium mixturae 623,000 tons, 898,000 tons, et 649,000 talentorum, respective.Praeterea fere 780,000 talenta output adhibentur pro Export.Anno 2021, consumptio polysilicon, siliconis organici, et aluminii admixtionum rationem 19%, 28%, et 20% siliconis industriae rationem habebit.Ab anno 2022 ad 2025, incrementum rate productionis siliconis organicae expectatur circa 10% manere, et incrementum aluminii mixturae minoris quam 5% est.Ideo credimus quantitatem siliconis industrialis quae pro polysilicon anno 2022-2025 adhiberi potest, relative sufficiens est, quae plene necessitatibus polysilicon occurrere potest.productionem eget.
5. Polysilicon supplendum;Chinalocum dominantem obtinet, et productio paulatim colligit ad incepta ducenda
Nuper his annis productio polysilicon globalis per singulos annos crevit et sensim in Sinis colligitur.Ab 2017 ad 2021, polysilicon globalis productio ex 432,000 talentis ad 631,000 talenta orta est, cum velocissimo incremento 2021, cum incremento 21,11%.Hoc tempore, global polysilicon productio sensim in Sinis contracta et proportio productionis polysilicon Sinarum aucta ab 56.02% in 2017 ad 80,03% in 2021. Comparando supremas decem turmas in capacitate polysilicon productionis globalis in anno 2010 et 2021, fieri potest. invenit numerum societatum Sinensium auctum ab 4 ad 8 et proportionem productionis capacitatis aliquarum societatum Americanorum et Coreanorum signanter excidisse, e summis decem iugis decidentibus, ut HEMOLOCK, OCI, REC et MEMC;industria retrahitur insigniter crevit, et tota capacitas productionis summorum decem societatum in industria ab 57.7% ad 90.3% crevit.Anno 2021 quinque societates Sinenses sunt quae plus quam 10% ad facultatem productionis computant, ac pro summa 65,7%..Tres praecipuae causae sunt ad translationem industriae polysilicon in Sinas gradatim .Primum, polysilicon Sinenses artifices significantes utilitates habent secundum materiae rudis, electricitatis et laboris gratuita.Operariorum merces humiliores sunt quam peregrinae nationes, ideo altiore sumptui productionis in Sinis multo minus est quam in nationibus exteris, et perget cum progressu technologico declinare;secundo, qualitas polysiliconarum Sinensium productorum constanter improvidas est, quarum pleraeque in gradu primae classis solaris sunt, et singulae conatus provectus in puritate requiruntur.Breakthroughs factae sunt in technicae technologiae polysilicon superioris electronici gradus, paulatim in substitutione polysilicon electronici domestici pro importationibus facta, et Sinenses principales incepta strenue promovent constructionem inceptis electronic-gradus polysilicon.Productio laganae siliconis in Sinis plus quam 95% totius productionis globalis est, quae paulatim auto-sufficientiam polysiliconis Sinarum auxit, quae mercatum polysilicon aliquatenus inceptis transmarinis expressit.
Ab anno 2017 ad 2021, annuus numerus polysilicon in Sinis constanter crescet, praesertim in regionibus opibus potentiae opulentis ut Xinjiang, Mongolia interior, et Sichuan.Anno 2021, productionis polysilicon Sinarum ab 392,000 talentis ad 50,000 talentorum crescet, augmentum 28.83% augebit.Secundum capacitatem productionis, polysilicon Sinarum capacitas productionis plerumque in trend sursum facta est, sed anno 2020 ob shutdown aliquorum artifices declinavit.Praeterea facultas utendi rate inceptis polysilicon Sinensium continue ab MMXVIII aucta est, et capacitas utendi anno 2021 ad 97,12% perveniet.Secundum provincias, polysilicon productionis Sinarum anno 2021 maxime colligitur in locis humilibus pretiis electricitatis sicut Xinjiang, Mongolia interior, et Sichuan.Xinjiang output est 270,400 talenta, quae plus quam dimidium totius output in Sinis est.
Sinarum polysilicon industria eminente retrahitur, cum CR6 valore 77% insignitur, et ulterior inclinatio sursum in futurum erit.Polysilicon productio industria est cum maximis capitalibus et magnis technicis claustris.Exertum constructionis et cycli productionis plerumque duobus annis vel pluribus.Difficile est novum artifices industriam inire.Ex notis dilatatione et novis inceptis in proximo triennio artifices oligopolisticae industriae iudicantes augere perget facultatem technologiae et commoda sua technologiae et magnitudine commoda augendi, et positio monopolia resurget.
Aestimatur Polysilicon Sinarum copiam in magna incremento ab 2022 ad 2025 adducturum esse, et productio polysilicon 1.194 decies centena millia talentorum perveniet in 2025, expansionem globalis polysiliconis productionis libram agens.Anno 2021, cum acrem ortum in pretio polysiliconis in Sinis, artifices maiores collocaverunt in fabricandis novis lineis productionis, et simul novos artifices ad industriam advocaverunt.Cum incepta polysilicon unum saltem et dimidium ad biennium a constructione ad productionem capient, nova constructio anno 2021 complebitur.Facultas productionis generatim in medium anni 2022 et 2023. productio est. Hoc valde congruit cum novis propositis consiliis a maioribus artifices nunc editis.Nova capacitas productionis anno 2022-2025 maxime colligitur anno 2022 et 2023. Post haec, ut copia et postulatio polysiliconis et pretium gradatim stabiliunt, tota capacitas productionis industriae paulatim stabiliet.Descendere, id est, incrementum rate gignendi capacitas paulatim decrescit.Praeterea facultas utendi polysiliconis inceptis in altiori gradu biennio duravit, sed tempus erit ad facultatem producendi novorum inceptorum aggerendi, et processum ad novos entrantes obtinendos capiet. pertinet praeparatio technicae artis.Ergo facultas utendi rate novis inceptis polysilicon paucis annis infra erit.Ex hoc, polysilicon productio in 2022-2025 dici potest, et productio polysilicon anno 2025 expectatur circiter 1.194 decies centena millia talentorum.
Restrictio capacitatis transmarinarum productionis secundum quid altum est, et rate et celeritas incrementi productionis proximo triennio non tam alta erit quam Sinarum.Facultas polysilicon transmarinae productionis maxime colligitur in quattuor societatibus primariis, ceterae sunt maxime parvae productionis capacitatis.Secundum capacitatem productionis Wacker Chem dimidium facultatis productionis polysilicon transmarinis occupat.Eius officinas in Germania et in Iunctus Civitas facultatem 60.000 talentorum et 20000 talentorum gignendi habent, respective.Acuta dilatatio globalis polysilicon productionis capacitatis in anno 2022 et ultra efficere potest circa copiam sollicitudinis, societas adhuc in statu et exspectatione est et novam facultatem productionis addere non cogitavit.Polysilicon gigantis OCI Coreani Meridionalis paulatim relocans polysilicon productionis suae gradus solaris in Malaysia, servato primo electronico-gradu polysilicon linea productionis in Sinis, quae destinatur ad 5,000 millia talentorum anno 2022. OCI capacitas productionis in Malaysia perventura est ad XXVII 000 talentorum et 30,000 millia talentorum in 2020 et 2021 energiae humilis consummatio impensarum assequenda et portoria alta Sinarum in polysilicon in Iunctus Civitas et Corea Meridiana assequenda est.Societas consilia ad 95,000 talentorum producenda est sed tempus initium incertum est.Expectatur crescere in gradu 5000 talentorum per annum proximo quadriennio.Societas Norvegica REC duas bases productionis in civitate Washington et Montana, USA habet cum capacitate productionis annua 18000 talentorum polysilicon-gradi solaris et 2,000 talentorum polysilicon gradus electronici.REC, quae in angusta oeconomico angustia erat, productionem suspendendi elegit et deinde per bombum in pretiis polysilicon 2021 stimulatus, societas placuit ut sileo productionem 18000 talentorum consiliorum in statu Washington et ad finem 2023 millia talentorum in Montana. et potest aggerem productionis capacitatis complere anno 2024. Cicuta est maxima effectrix polysilicon in Civitatibus Foederatis Americae, specialiter in summo puritate electronic gradus polysilicon.Summus technici claustra ad productionem difficilem faciunt productorum societatis in foro reponi.Composita cum eo quod societas non cogitat nova incepta aedificare intra paucos annos, expectatur capacitas productionis societatis futurae 2022-2025.Annua output in 18000 tons manet.Praeterea, anno 2021, nova productio capacitatis societatum praeter quattuor societates supra 5000 talentorum erit.Propter indigentiam intellectus omnium societatum productionis consiliorum, hic assumitur quod nova capacitas productionis quinque milia talentorum erit per annum ab 2022 ad 2025 .
Secundum facultatem productionis transmarinae aestimatur productionem polysilicon transmarinam 2025 circiter 176.000 talentorum futuram esse, si utens rate facultatem productionis polysilicon transmarinae immutata manet.Postquam pretium polysilicon anno 2021 acriter surrexit, societates Sinenses productionem augeverunt et productionem ampliaverunt.E contra, societates transmarinae cautiores sunt in consiliis novis inceptis.Causa est, quia polysilicon industria dominatur iam in dicione Sinarum, et productione temere crescens damna afferre potest.Ex parte sumptus, energiae consumptio maxima pars sumptus polysilicon est, itaque pretium electricitatis magni ponderis est, et Xinjiang, interior Mongolia, Sichuan et aliae regiones conspicua utilitates habent.Ex parte postulante, ut directus amni polysilicon, laganum siliconis lagani productionis plus quam 99% totius mundi rationes reddit.Polysilicon industria amni in Sinis maxime contrahitur .Pretium polysilicon productum est humile, sumptus invectio gravis est et postulatio plene praestatur.Secundo, Sina relative altum stipendiis anti-dumping imposuit de importationibus polysilicon gradus solaris ex Civitatibus Foederatis et Corea Meridiana, quod consumptionem polysilicon e Civitatibus Foederatis et Corea Meridionali valde suppressit.Cave sis in novis inceptis aedificandis;hisce annis praeterea, Sinenses polysilicon in partibus transmarinis ob impetus portoriis evolvere tarde fuerunt, et nonnullae lineae productiones redactae vel etiam clausae sunt, eorumque proportio in productione globali per singulos annos decrescebant. non comparentur ad ortum in pretiis polysilicon anno 2021 sicut in magnis lucris societatis Sinensium, condiciones nummariae non sufficiunt ad suam celeris et amplam dilatationem productionis capacitatis sustinendam.
Fundatur in respectivis praenotionibus productionis polysiliconis in Sinis et transmarinis ab 2022 ad 2025, valor praedictus productionis polysilicon globalis breviari potest.Aestimatur productionem polysilicon globalem anno 2025 perventuram esse 1.371 decies centena millia talentorum.Secundum praenuntium valorem productionis polysiliconis, participatio Sinarum proportionis globalis proxime obtinetur.Expectatur participatio Sinarum paulatim crescere ab 2022 ad 2025, et superabit 87% in 2025 .
6, Summarium et Outlook
Polysilicon amni sita est industrialis siliconis et fluminis totius industriae photovoltaicae et semiconductoris catenae, et status eius magni momenti est.Catena industriae photovoltaicae plerumque polysilicon-silicon laganum laganum modulum-photovoltaicum inauguratum capacitas inauguratum est, et catena industriae semiconductor plerumque polysilicon-monocrystallinus pii laganum laganum-pii laganum fere est.Diversi usus in puritate polysilicon requiruntur.Industria photovoltaica maxime utitur polysilico-gradu solaris, et industria semiconductoris polysilicon electronico-gradu utitur.Illa puritatem ambitum 6N-8N habet, haec vero puritatem 9N vel plurium requirit.
Pro annis, processus productionis amet polysilicon methodus in toto orbe terrarum Siemens emendatior est.Superioribus annis, nonnullae societates naviter exploraverunt modum lecti silani inferiorem costum fluidum, quae ictum in exemplaris productionis habere potest.Polysilicon virga informata a Siemens modificata methodo notas habet summae energiae consumptionis, sumptus altae et puritatis altae, dum granulare silicon a lecti fluidi silano productum modum habet proprietates energiae humilis consumptionis, costi humilis et humilitatis respective puritatis. .Quaedam societates Sinenses intellexerunt massam productionis siliconis granularis et technicae artis granularis siliconis ad polysilicon trahendum, sed non late promovit.Utrum silicon granularium illud reponere in futuro possit, ex eo pendet num utilitas sumptus incommodum quale, effectus applicationes amni, et salus silani emendatio.Nuper his annis productio polysilicon globalis per singulos annos crevit et sensim apud Sinas congregatur.Ab 2017 ad 2021, productionis polysilicon globalis annuum crescet ab 432,000 talentis ad 631,000 millia talentorum, cum velocissimo incremento anno 2021. Per eos dies productio polysilicon globalis sensim magis magisque contrahitur in Sinis, et Sinarum proportio productionis polysilicon aucta est. 56.02% in 2017 ad 80,03% in 2021 . Ab 2022 ad 2025, copia polysilicon in magna incremento adducet.Aestimatur productionem polysilicon 2025 anno 2025 fore 1.194 decies centena millia talentorum in Sinis, et productio transmarina ad 176,000 talenta perveniet.Ideo polysilicon productionis globalis anno 2025 circiter 1.37 decies centena millia talentorum erit.
(Hic articulus solus est ad relationem de UrbanMines'custo- mos et nullum consilium investment repraesentat.